英特磊:全年成長目標不變


英特磊:全年成長目標不變

在產業、市場普遍黯淡之際,高永中指出,英特磊情況將較預期好,因上一季度發現砷化鎵(GaAs)應用於手機部分需求快速下滑,隨即調整方向,將產能調配置HBT、APD等,因此,雖消費性電子疲弱、大環境不穩,但磷化銦(InP)營收持續有顯著貢獻,加上銻化鎵(GaSb)等也穩定,推升第三季營運表現優於去年。

薰之岚

在應用端部分,高速傳輸元件與光纖網路各佔英特磊營收約三成,紅外線偵測和包括物聯網、航太、無線通訊在內的射頻,則各佔約一成五,以上合計近九成,整體市場需求趨勢皆向上。

磷化銦磊晶片主要產品PIN、HBT需求穩定,APD訂單成長較快速,量產客戶數漸增,平均訂單金額較以往增加。此外,以磷化銦材料爲主的長波VCSEL與QCL雷射產品研發訂單亦提高。

銻化鎵產品因美國國防大廠年度剩餘預算在第四季釋出,加上美國盟國對銻化鎵磊晶片增高需求,相關營收增加可期;主力開發項目爲次代紅外夜視器。

英特磊第三季購入MBE7000生產機臺5座,部份將升級增加產能,部份將轉售策略夥伴及客戶,目前將持續完成組裝現有機臺,並洽談機臺銷售及升級服務合約。

复华S&P500成长ETF 今上市

重生之星光璀灿

联电营收 8月好猛

宜蘭公車撞民宅!司機疑恍神越過對向車道 再衝民宅釀5人傷